爱思开海力士申请半导体器件以及制造该半导体器件的方法专利，提高器件性能
admin 2025-10-17
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金融界2024年10月19日消息，国家知识产权局信息显示，爱思开海力士有限公司申请一项名为“半导体器件以及制造该半导体器件的方法”的专利，公开号CN118785721A，申请日期为2023年9月。
专利摘要显示，本申请涉及一种半导体器件以及制造该半导体器件的方法，该半导体器件可以包括：字线，该字线沿第一方向延伸；位线，该位线沿与第一方向交叉的第二方向延伸；可变电阻图案，该可变电阻图案设置在字线与位线之间，并且该可变电阻图案具有沿第一方向的第一宽度和沿第二方向的第二宽度，其中，第一宽度和第二宽度彼此不同；以及电极图案，该电极图案设置在可变电阻图案与位线之间，并且该电极图案具有沿第一方向的第三宽度和沿第二方向的第四宽度，其中，第三宽度和第四宽度彼此不同。
本文源自金融界
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